CVD
스펠 ： Chemical Vapor Deposition
IC등의 제조공정에서 기판위의 실리콘등의 박막을 만드는 공업적 방법. 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 비결정성 실리콘(amorphous silicon)박막등의 제조에 사용되고 있다. 그 과정에서 화학반응을 이용하기 때문에 이렇게 불리고 있다.
원료물질을 포함한 가스에, 열이나 빛에 따라 에너지를 더하거나 고주파로 플라즈마화 하거나 하는 것에 따라 원료물질이 라디칼(Radical)화로서 반응성이 풍부해져서 기반위에 흡착되어 퇴적된다.
온도를 높여서 퇴적 시킨것을 '열 CVD', 화학반응이나 열분해를 촉진시키기 위해서 빛을 비추는 것을 '광 CVD', 가스를 프라즈마 상태로 여기(励起)시키는 방법을 '플라즈마 CVD'라고 한다.
이것과는 반대로, 물리적인 과정에 따라 박막을 퇴적시키는 방법을 'PVD(Physical vapor deposition)'이라고 한다.