DDR FCRAM
스펠 ： Double Data Rate Fast Cycle RAM
도시바와 후지쯔가 공동개발한 2000년 7월에 발표한 대용량ㆍ고속데이터 전송 메모리 규격.
기존 메모리의 데이터를 읽고 쓰는 것은 비트 상태를 표현하는 격자형 메모리셀 상의 전하를 검출할 필요가 있어, 이것을 행하는 '센스업'이라 불리우는 증폭기에 의한 데이터 로딩에 메모리 전체의 성능이 좌우되어 왔다.
DDR FCRAM으로는 이 프로세스를 복수로 병렬처리하여 퍼포먼스를 향상시키고 있다.
이 때문에 기존의 PC100이나 PC133사양의 SDRAM으로는 랜덤 엑세스 타임은 60~70ns정도 였지만,